中國科技進步，路透社本不必焦慮

　　路透社近日“爆料”所謂中國“曼哈頓計劃”，宣稱中國科學家造出了華盛頓多年試圖阻止的極紫外(EUV)光刻機原型機。通篇報道依賴“知情人士透露”，真假難辨，但其字裡行間彌漫的對中國科技進步的焦慮感卻昭然若揭。這種焦慮，恰恰折射出西方部分勢力面對中國科技發展時的不健康心态。

　　光刻機作為半導體産業的“工業明珠”，被一些國家視為西方技術領先的“最後堡壘”，目前全球僅有荷蘭阿斯麥(ASML)能穩定量産EUV光刻機。中國在光刻機領域長期受制于人，高端設備曾高度依賴進口，推進國産化進程既是産業發展的必然需求，也是保障供應鍊安全的關鍵舉措。事實上，外媒無需過度猜測，中國光刻機的國産化進展有着明确的官方披露和産業實證：2024年9月，工信部在《首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄》中明确國産深紫外(DUV)光刻機參數——分辨率65納米、套刻精度8納米;截至2025年第三季度，上海微電子自主研發的600系列光刻機已實現90nm制程量産，28nm浸沒式光刻機進入研發測試階段，宇量昇與中芯國際的合作驗證也步入關鍵期。清晰的技術路線表明，中國始終沿着自主可控的方向穩步推進，每一步突破都經得起檢驗。

　　芯片産業的核心特性是高度全球化協作，光刻機這類集光學、精密機械、電子等多領域尖端技術于一體的複雜系統，更是需要多國企業協同攻關。先進芯片1平方毫米面積内晶體管數量超1億，從設計、制造到封裝測試，每個環節都需要專業分工與跨國配合。即便中國在光刻機領域取得突破，也絕不會改變這一産業規律。中國對此有着清醒認知，始終秉持開放合作理念，歡迎全球企業共同參與産業鍊構建。事實上，衆多西方芯片企業已在華市場獲得豐厚回報，這正是國際合作共赢的生動例證。當前，國産光刻機的突破還帶動了上遊産業鍊協同升級，江豐電子的冷卻部件、富創精密的反射鏡等核心配套産品實現技術突破并量産，光學元器件國産化率已提升至35%，較2024年增長18個百分點，形成了“整機研發-部件配套-産業應用”的良性循環，而這一過程始終向全球合作夥伴敞開大門。

　　中國堅持科技自主創新，核心目标是實現自立自強，絕非追求封閉的“技術孤島”，這一點在航天、綠色能源等多個領域已反複驗證。值得注意的是，西方部分國家的科技圍堵，不僅未能阻滞中國進步，反而激發了更強的創新動力。比爾·蓋茨曾坦言，美國的技術封鎖讓“中國在芯片制造等領域實現了全速發展”;英偉達首席執行官黃仁勳也多次表示，出口管制未能放緩中國AI發展步伐，反而導緻英偉達在華AI芯片市場份額大幅下滑。數據印證了這一趨勢：2025年中國光刻機國産化率已提升至12%，較2024年增長5個百分點，尤其在i線前道光刻機和中低端DUV設備領域實現批量替代。法媒精準評論道：“整個中國都在以一種‘你封我，我就自己造’的精神前行着”。如今，中國完備的科技底座、充足的人才儲備和成熟的産業體系，已足以支撐應對各類技術封鎖挑戰。

　　科技是全人類的共同财富，理應服務于全球福祉。以“國家安全”為名實施的封鎖策略，本質上是封閉與割裂，最終将損害全球科技産業的整體利益，西方自身也難以幸免。世界經濟論壇曾指出，中美合作是全球科技進步的基石，超過30%的美國高影響力科研項目都有中國科學家參與。美國無端打壓華為等企業、限制芯片技術出口，破壞的正是這種互利共赢的合作根基，走上了一條技術分裂、市場割裂、創新減速的歧途。這種策略的不可持續性，從美國内部對英偉達H200芯片對華出口政策的争議與搖擺中可見一斑。

　　中國的目标始終清晰：在實現關鍵技術自主可控的基礎上，更深度、更平等地融入全球創新網絡，為人類科技進步貢獻力量。我們堅信，唯有拆掉心中“恐懼”與“霸權”的高牆，擁抱開放合作的時代潮流，才能真正共享科技紅利，共同應對全球挑戰。那些企圖用“鐵幕”阻隔進步陽光的人，最終隻會将自己困在陰影之中。合作共赢的大門始終向世界敞開，而鑰匙，永遠掌握在秉持尊重、平等與互利互信理念的人們手中。