據媒體最新報道,聯發科天玑系列芯片将交由英特爾代工,這一消息在半導體行業引發了廣泛關注。在蘋果初步敲定使用英特爾18A工藝後,英特爾似乎又争取到了第二大客戶聯發科,後者預計将采用英特爾14A工藝。
衆所周知,蘋果可能會選擇英特爾的18A-P工藝用于入門級M系列芯片,這顆芯片最快會在2027年出貨。不止于此,蘋果預計在2028年推出的定制化ASIC将采用英特爾的EMIB封裝技術。目前蘋果已經與英特爾簽署了保密協議,并獲取了其18A-P工藝的PDK樣本用于評估。
值得注意的是,英特爾的18A-P工藝是其首個支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術的節點,該技術允許通過矽通孔實現多個芯粒的堆疊。
現在有一個大膽的傳聞稱,英特爾已成功拉攏到另一個14A工藝的客戶聯發科。不過,将英特爾的14A工藝應用于聯發科天玑系列等移動芯片并非易事。英特爾決定在18A和14A節點上全力押注背面供電技術,雖然這項決策能顯著提升性能,但也會帶來嚴重的自發熱效應。
由于手機内部空間極其有限,這種自發熱效應對于移動端Soc來說是一項嚴峻挑戰,可能需要額外的散熱措施才能确保穩定運行。如果雙方能夠成功克服這一技術瓶頸,不排除聯發科和英特爾實現深度合作的可能。

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