【每日科技網】
8月22日，在HotChips33大會上，三星确認正在開發具有8層TSV(直通矽通孔)的DDR5内存模塊，是DDR4内存容量的兩倍。這意味着理論上可以實現512GB内存模塊。
通過優化包裝，三星的DDR5内存模塊高度将低于DDR44層内存。由于管芯之間的間隙較小(減少40%)，通過實施薄晶圓處理技術，可能會降低高度。重要的是，8層TSV模塊提供更好的散熱。
三星預計DDR5内存将提供比DDR4高85%的性能，高達7.2Gbps的帶寬和高達512GB的雙倍容量。同時，新模塊具有更低的1.1V電壓，提高電源效率。
三星表示，預計到2023/2024年，DDR5内存将提供給主流市場，數據中心市場的産品将更快推出，計劃在今年年底前生産512GB内存模塊。
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