【每日科技網】
據外媒Neowin消息，韓國芯片制造商SK海力士今天宣布，已利用EVU極紫外光刻機，研制出1anm芯片制造工藝。與2019年推出的1znm工藝相比，該技術密度更高，芯片功耗更低。
官方表示，該技術可以在相同的晶圓面積下增加多達25%的芯片産量。
海力士1anm技術可以使智能手機廣泛使用的LPDR4内存芯片達到4266Mbps的高速，與更先進的LPDR4X芯片頻率一緻。不僅如此，新工藝的内存芯片功耗可以降低20%。
搭載海力士1anm工藝内存芯片的智能手機預計将于今年下半年上市。未來，海力士将該工藝應用于LPDDR5内存的生産。
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