萬億市場蓄勢，汽車電子頭部廠商集亮相2026慕尼黑上海電子展

　　年度電子行業重磅盛會如期而至!汽車電子領域頭部優質展商已悉數就位，整裝開啟行業年度之約。慕尼黑上海電子展(electronica Shanghai)将于7月1日-3日，在上海新國際博覽中心W1-W5、N1-N5展館盛大啟幕。

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　　全球汽車電子市場在飛速擴張，預計2026年全球市場規模将達到3423.7億美元，同比增長8.4%，到2030年将達到4759.7億美元，複合年增長率為8.6%。中國作為全球最大的新能源汽車市場，2025年汽車電子零部件市場規模已達1.2萬億元，占據全球約30%的份額;2026年這一數字預計将增長至1.42萬億元。

　　汽車不再僅是“出行工具”，而是進化為集能源管理、AI算力、邊緣計算于一體的智能終端。整車電子電氣架構正從分布式ECU向“中央計算+區域控制”的軟件定義汽車架構加速演進。中國汽車品牌憑借領先的電動化與智能化全棧自研優勢，在存量博弈中持續擠壓合資品牌份額，正從“全球最大的增量市場”升級為“全球技術創新的策源地”。

　　總體來看，2026年中國汽車電子産業正步入由電動化向智能化全面過渡的關鍵轉型期。市場規模持續擴容、技術路徑加速切換、政策體系不斷完善，共同構成了産業發展的宏觀背景。在這一關鍵轉折點上，2026慕尼黑上海電子展具有超越常規展會的戰略意義——它不僅是産品與技術的秀場，更是觀察和解讀産業巨變的最佳窗口，是連接創新構想與規模落地的關鍵樞紐。

　　集成電路參展企業一覽

　　随着軟件定義汽車(SDV)與集中式電子電氣架構的普及，汽車集成電路正朝着更高算力、更低功耗、更強安全隔離與實時通信能力的方向演進。當下，汽車集成電路正加速向中央計算化、軟硬解耦化與異構集成化邁進，同時高壓超充趨勢正推動功率與隔離芯片向耐高壓、高效率方向升級。在電子電氣架構上，傳統數十個分布式ECU正快速向“艙駕一體”中央計算平台收斂，催生對超高算力SoC及大帶寬車規級存儲芯片的爆發式需求。

　　與此同時，軟件定義汽車促使芯片設計走向軟硬解耦，标準化硬件接口與OTA遠程升級能力要求芯片内置更強的功能安全(ISO 26262)與信息安全(HSM)隔離機制。而為緩解7nm以下先進制程的昂貴成本，Chiplet(芯粒)及先進封裝技術開始進入量産視野，通過異構集成實現算力、成本與良率的平衡。總體而言，汽車集成電路正從分散的電子功能件，進化為高可靠性、高安全性的智能決策中樞。

　　德州儀器丨展位号：N4.605

　　針對傳統算力瓶頸，德州儀器展出的TDA5高性能SoC系列打破常規，提供10-1200 TOPS彈性擴展算力，并兼顧功耗與安全優化，精準回應急需落地SDV的車企算力挑戰;其AWR2188 4D成像雷達收發器以單芯片8TX/8RX架構實現更敏銳的環境感知，為算法輸出高信噪比原生數據;DP83TD555J-Q1以太網PHY通過10BASE-T1S技術将高速網絡延伸至邊緣節點，降低布線複雜度并保證信号完整性。

　　英飛淩丨展位号：N5.605

　　針對軟件定義汽車對實時虛拟化與區域架構的需求，英飛淩将展出汽車以太網端到端方案，其AURIX™ TC4x/TC3x系列MCU支持硬件虛拟化、RISC-V擴展及AUTOSAR，面向域控、底盤與ADAS，符合ISO/SAE 21434及R155/R156标準，部分型号集成TSN/AVB硬件加速，配合DRIVECORE軟件套件，支撐集中式E/E架構、OTA更新與功能安全。針對電動汽車，英飛淩還将首次以沉浸式互動大屏的方式，為現場觀衆全面展示領先的汽車電子解決方案。

　　意法半導體丨展位号：N5.601

　　針對多核虛拟化與内存密度瓶頸，意法半導體将展示基于ARM R52多核的Stellar系列MCU。它采用28nm FD-SOI與嵌入式相變存儲器(ePCM)，P/G系列支持多ASIL ECU實時虛拟化，E系列面向電氣化應用，内存密度達傳統eNVM兩倍以上，配備豐富I/O與外設，完全适配現代汽車ECU解決方案。Stellar P和G産品系列集成基于意法半導體PCM技術的xMemory，其内存密度是其他eNVM技術的兩倍以上。配備xMemory的Stellar産品為當前和未來應用需求提供了更大的擴展空間。

　　納芯微丨展位号：N4.621

　　針對新能源汽車高壓系統對隔離驅動的高安全要求，納芯微将展出國内首款基于全國産供應鍊、通過TÜV萊茵ISO 26262 ASIL D認證的隔離栅極驅動NSI6911F系列。其峰值驅動能力19A，CMTI達±150kV/μs，集成12位高精度隔離采樣ADC及米勒鉗位、過溫保護、可調DESAT/軟關斷等保護功能，專為主驅逆變器、OBC及DC-DC高壓應用設計，能夠靈活且有效地優化功率器件的開關性能，降低開關損耗與短路失效風險，為電驅系統提供全面保護。

　　瀾起科技丨展位号：N4.816

　　針對新一代集中式電子電氣架構對核心互連芯片的嚴苛要求，瀾起科技将展出車規級時鐘芯片與DDR4 RCD芯片。時鐘芯片系列涵蓋時鐘發生器、緩沖器及展頻振蕩器，采用高性能PLL與低噪聲技術，為ADAS域控制器、座艙域控制器及車載以太網交換機提供高精度、低相位噪聲的時序信号;車規級Grade-2 DDR4 RCD芯片支持-40°C至+105°C寬溫運行，可滿足自動駕駛高性能計算平台對内存帶寬與可靠性的嚴苛要求。上述系列産品為“中央計算+區域控制”的集中式電子電氣架構提供了精準、可靠的互連保障。

　　兆易創新丨展位号：N5.205

　　随着全球能源結構向綠色低碳轉型持續深化，光伏、儲能、充電基礎設施、數據中心等正加速協同發展，而新能源場景對高可靠、高集成、高智能的電源與主控芯片需求激增。

　　面對能源産業數字化、智能化升級浪潮，國内半導體巨頭兆易創新(N5.205)立足芯片底層技術創新，将在展會上全面展示構建MCU、模拟芯片與存儲産品協同的全場景布局，形成覆蓋能源控制、電源管理、數據存儲的一站式解決方案，為光儲充産業高質量發展築牢技術根基。

　　面向低空經濟的蓬勃發展，兆易創新也将攜一站式民用無人機芯片解決方案出席本次盛會，核心展品GD32-Betaflight飛控方案以GD32H7為主控，依托600 MHz高主頻算力，為Betaflight提供強大的實時計算支撐，實現高速閉環控制與複雜信号濾波的協同優化，顯著提升響應速度。同時，該方案進一步強化了高精度傳感融合與穩定導航性能，增強了可視化監控與數據透明化設計，全面體現出國産高性能芯片在無人機飛控領域的算力突破與工程化競争力。

　　功率半導體參展企業一覽

　　在汽車電動化與800V高壓快充趨勢下，功率半導體正加速向寬禁帶、高功率密度與先進封裝化演進。傳統矽基IGBT在高頻、高溫場景下的損耗瓶頸日益凸顯，碳化矽(SiC)憑借更高的擊穿場強與熱導率，已在主驅逆變器中實現規模化替代，顯著提升續航與充電效率;氮化镓(GaN)則憑借超低開關損耗，在OBC(車載充電機)及DC-DC轉換器中快速滲透。

　　與此同時，為應對高壓大電流帶來的散熱與集成挑戰，新型封裝技術成為關鍵突破口。頂部冷卻方案通過直接傳導散熱，降低熱阻;塑封模塊(如TPAK、D2PAK)取代傳統灌封模塊，實現更小的體積、更低的寄生電感和更高的可靠性。此外，單管并聯與功率模塊集成化設計也在減少系統連線損耗，提升功率密度。總體而言，功率半導體正從單一器件升級為系統級效率與熱管理的核心賦能者，支撐800V平台持續降本增效。

　　安森美(onsemi)丨展位号：N5.505

　　針對電動車主驅逆變器對高功率密度與散熱優化的需求，安森美為汽車和工業應用開發的智能電源和感應方案将亮相現場，其展出的采用行業标準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET系列(650V/950V)，為800V架構提供增強散熱、可靠性與設計靈活性，應用于電動汽車、太陽能及儲能等高功率、高電壓應用場景，提供增強的散熱性能、可靠性和設計靈活性，全面賦能可擴展的電動/混合動力總成及所有電壓域的現代電動汽車架構。

　　羅姆半導體丨展位号：N4.500

　　針對牽引逆變器小型化與低損耗難題，羅姆半導體将展出新一代TRCDRIVE pack™ SiC 功率模塊、650V GaN 開關器件、ADAS車載專用PMIC芯片。其中TRCDRIVE pack™塑封SiC功率模塊，搭載第4代低導通電阻SiC MOSFET，實現普通封裝1.5倍的超高功率密度;模塊頂部配備Press fit pin信号引腳，從上方按壓即可連接栅極驅動闆，減少安裝工時;雙層布線結構将電感降至5.7nH，有效降低開關損耗，助力xEV逆變器顯著小型化。

　　方正微丨展位号：N5.709

　　針對車載充電、熱管理及輔驅系統對高效率與小體積的需求，方正微推出的1200V/35mΩ及60mΩ的三相全橋SiC功率模塊DIP32，是全自研國産車規級SiC芯片，模塊滿足AQG-324标準，集成NTC溫度監測。相比傳統Si IGBT方案，其總損耗降低30%以上，綜合效率提升>2%;相比單管方案PCB面積減小50%以上;低雜感設計降低EMC，高熱導率襯闆降低系統熱阻15%-35%。

　　無源元件參展企業一覽

　　在800V高壓平台與智能駕駛高算力域控的驅動下，無源元件正朝着高耐壓、高容值、小型化及車規級可靠性方向加速演進。MLCC(片式多層陶瓷電容器)需在有限PCB面積内實現更高靜電容量，同時滿足X8R/X9R等高溫穩定性要求，以應對功率模塊的嚴苛熱環境。鋁電解電容器則聚焦于低ESR(等效串聯電阻)與長壽命設計，并在強制冷卻條件下保障紋波電流承受能力。薄膜電容器憑借優異的自愈性與耐壓特性，成為800V母線濾波的主流選擇。電感與磁性元件則追求毫秒級瞬态響應、低磁芯損耗及零缺陷可靠性，以支撐高頻DC-DC變換器與EMI濾波。

　　此外，表面貼裝與模塊化集成成為趨勢，旨在減少寄生參數、提升功率密度，并滿足AEC-Q200等車規認證的嚴苛要求。總體而言，無源元件正從被動附屬角色轉變為系統效率與可靠性的關鍵支撐。

　　TDK丨展位号：N1.205

　　針對OBC直流母線的高電壓、大紋波電流與緊湊空間需求，TDK推出B43655(475V/500V，110-880µF)與B43656(450V)系列鋁電解電容器，專為底部散熱設計，+105℃下壽命超3000小時，最大紋波電流達4.42A，ESR低至100mΩ，滿足800V電池架構及高功率拓撲的嚴苛要求。

　　村田丨展位号：N1.300

　　針對ADAS/自動駕駛IC周邊及電源線路對MLCC高容值小型化的需求，村田已量産的7款車載MLCC低額定電壓(2.5-4V)系列将100µF從1210inch縮小至1206inch，PCB占用面積減少約36%;中額定電壓(25V)系列用于電源線路，為IC周邊及電源分配提供特大靜電容量，助力高集成度設計。

　　順絡電子丨展位号：N1.609

　　針對汽車制動、變速及懸挂系統對電磁閥線圈的響應速度與可靠性要求，順絡電子推出的創新電磁場優化設計的線圈，電磁力輸出波動<±3%，響應時間縮短至3ms，滿足-40℃至150℃AEC-Q200環境标準。其全自動化産線與MES系統實現全過程質量監控與缺陷預防，确保産品一緻性。

　　連接器參展企業一覽

　　在800V高壓平台與L3以上自動駕駛的雙重驅動下，汽車連接器正朝着高壓化、高頻化、功能集成化與超高可靠性方向快速演進。高壓側，連接器需耐受更高電壓與爬電距離，同時重點應對碳化矽(SiC)模塊高速開關帶來的高頻電磁輻射，通過增強屏蔽設計與集成高壓互鎖回路(HVIL)确保安全斷開與人員防護。低壓側，為支撐線控轉向、線控制動等Fail-Operational系統，連接器需在雙獨立電源軌間實現毫秒級動态平衡，保障冗餘供電與容錯能力。

　　與此同時，高速數據連接器(如Fakra、Mini-Fakra、HSD、以太網連接器)需求激增，以支撐多傳感器融合與域間高帶寬通信(>10Gbps)。此外，連接器正朝着模塊化、小型化與端子集成方向發展，以減少占闆面積并簡化裝配。材料方面，高性能耐高溫塑膠與低接觸電阻合金成為标配，确保在振動、熱循環及腐蝕環境下實現零缺陷可靠性。總體而言，連接器正從簡單電氣接口演變為能量與數據融合的關鍵樞紐。

　　安波福丨展位号：W2.305

　　針對800V高壓系統能量分配安全與自動駕駛容錯供電，安波福将展出支持V2X功能的雙向OBC高壓互連系統及大電流低壓配電産品組合。高壓側連接器采用高精度屏蔽與HVIL設計，隔離SiC高頻輻射;低壓側60-300A配電方案可在雙獨立電源軌間實現毫秒級動态平衡，避免單一電路故障導緻轉向、制動或智駕域控瞬間失電的緻命工程風險。

　　泰科電子丨展位号：W1.305

　　針對高壓接觸器觸點粘連、惡劣工況沖擊斷電及平台升級空間受限三大痛點，泰科電子推出新一代EVC系列抗粘連高壓接觸器，抗粘連結構與複合材料能夠杜絕大電流粘連風險;XYZ三軸50G抗沖擊能力遠超行業20G标準，适應複雜路況;200-400A載流下尺寸不變，EVC400體積較同類減少39%，并支持PWM線圈低能耗驅動。在滿足正常載流能力、極限分段能力和極限短路能力等多項核心指标的同時，TE Auto通過高性能抗粘連設計延長産品電氣壽命，實現降本與增效的雙重突破。

　　Molex丨展位号：W1.301

　　針對區域架構中線束重量、尺寸與集成度挑戰，Molex推出MX-DaSH模塊化線對線連接器，将電源、信号和高速數據集成于單一非密封混合卡盒平台。通過更換内部卡盒可靈活添加新功能或調整引腳，大幅縮短設計與模具開發周期。該方案适用于儀表闆-車身線束連接、座椅信号等場景，顯著減輕線束重量與尺寸，優化區域架構中的高功能連接點效率。

　　汽車主題活動

　　為深化行業人士對汽車相關領域的認知，聚焦新能源汽車與智能汽車技術疊代趨勢，本屆展會重磅打造多場汽車相關核心主題論壇。論壇彙聚行業資深專家、頭部企業代表，圍繞前沿技術、市場趨勢、場景創新、量産落地等核心維度展開深度分享與研讨，為汽車電子産業鍊上下遊搭建高效交流、技術互通的優質平台。