2024年11月15日,備受矚目的國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平台建成發布儀式,在第二十六屆中國國際高新技術成果交易會的現場隆重舉行,這一裡程碑事件标志着深圳在第三代半導體技術創新領域邁出了堅實的一步。發布會現場既有來自半導體行業的專家,也有市科創局、市發改委、市工信局、龍崗區政府、市重投集團、深圳市半導體行業協會、深圳市半導體和集成電路産業聯盟、深圳先進電子材料國際創新研究院、電子科技大學(深圳)高等研究院、第三代半導體國創中心湖南平台的領導和嘉賓,他們的到場體現了各界對國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平台建成的高度重視。

伴随着深圳綜合平台建設彙報視頻的播放,通過豐富的影像資料和詳實的數據記錄,全面展示了平台籌備到建設過程中的點點滴滴。自2021年起,根據科技部統一部署,深圳市開始承接國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平台的建設任務。在2022年,設立深圳平湖實驗室作為建設和運營主體。在建設過程中,始終遵循“一體統籌規劃、多地分布布局、協同創新聯動”的原則,聚焦第三代半導體領域器件物理研究、材料研究、技術開發、産品中試,以及第四代半導體材料器件前沿研究等多個關鍵方面,緻力于打造一個在全球範圍内具有競争力的、涵蓋創新、中試及共享功能的第三代及第四代功率半導體平台。
在現場熱烈的掌聲中,深圳市科技創新局 方琳 副局長登台緻辭,她強調了半導體産業在國家科技發展戰略中的核心地位,鼓勵深圳綜合平台在未來充分發揮自身優勢,積極整合各方資源,不斷推動半導體技術創新,為實現我國半導體産業的高質量發展做出更大的貢獻。随着方琳 副局長祝賀“國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平台建成”,現場嘉賓紛紛報以熱烈的掌聲。

深圳綜合平台主任、深圳平湖實驗室主任萬玉喜先生随後在熱切的期待中上台發言,詳細回顧了深圳綜合平台的建設曆程并着重介紹了平台定位和未來規劃。他指出,國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平台作為全國集科研和中試于一體的8吋功率半導體開放共享平台,就像一條堅固的紐帶,連接着從基礎研發到工程化應用的各個環節。深圳綜合平台将深深紮根于深圳及大灣區這片充滿創新活力的土地,積極協同國家第三代半導體技術創新中心的其他平台、全國的高等院校、科研機構以及企業的優質資源,為半導體産業發展提供源源不斷的人才供給。以前瞻性技術為引領,大力推動第三代半導體關鍵技術攻關,保障供應安全并積極推動成果産業化,持續提升創新能力。

作為發布會重要的成果展示環節,深圳綜合平台的三大能力平台逐一揭開神秘面紗,專家代表紛紛登台亮相,詳細展示了平台能力和建設成果:
其中,深圳綜合平台中試線工程部賀部長登台介紹了中試線的技術優勢與創新能力以及産業鍊布局等。目前,深圳綜合平台已精心布局1200 - 6500V SiC MOSFET及15 - 1200V GaN HEMT産品及工藝平台,正在積極構建從材料制備、芯片設計、晶圓制造到封裝測試的完整産業鍊。在産業鍊構建過程中,中試線與上下遊企業緊密合作,全力推動協同發展,逐步形成一個良好的生态系統。此外,中試線還積極參與行業标準的制定工作,與國内外高校、研究機構深度合作,不斷探索更多的應用場景。在質量控制方面建立了完善的質量控制體系,為半導體産品的高質量生産提供堅實的保障。

緊接着,深圳平湖實驗室設計與仿真部王部長随後登台發布了第三代半導體功率半導體設計仿真工具鍊平台的建設進展。她着重闡述了設計與仿真工具鍊軟件多元化對我國EDA産業生态發展的重大意義。在EDA市場,全工具鍊模式的國外EDA供應商具備競争優勢,但國内EDA供應商大多為點工具開發,發展相對滞後。深圳綜合平台巧妙地利用自身産線的優勢,搭建起了一個産學研緊密合作的國産EDA工具鍊公共服務平台,成功地解決了串鍊困難與驗證困難這兩大難題,這一舉措對于完善我國的EDA産業生态、搶占化合物EDA工具發展的制高點具有不可忽視的戰略意義。

最後,深圳平湖實驗室分析檢測中心主任曾威先生登台發布,宣布深圳平湖實驗室分析檢測中心正式啟用,相較于業内其他檢測中心,深圳平湖實驗室分析檢測中心具備業界的技術和優勢。首先,在能力布局方面極為全面,涵蓋了材料分析、微觀結構分析、失效分析、電性測試、快速封裝、可靠性驗證等全産業鍊的各個環節;其次,該中心擁有一支實力強大且專業的專家團隊,其中首席專家達到3名以上,博士所占的比例不少于30%,碩博所占的比例更是不少于80%,這樣一支高素質的專家團隊為檢測中心的技術實力提供了堅實的人才支撐;再次,在合作模式上,該檢測中心可以作為一個第三方檢測平台,為客戶提供檢測、咨詢、認證等多種服務,并且能夠為客戶定制專項解決方案,提供全面的技術支持,通過橫向合作推動技術進步和産業升級。

建成發布的深圳綜合平台将是粵港澳大灣區乃至全國在第三代半導體技術創新方面的核心力量,平台有助于深圳打造具有全球影響力的半導體技術創新中心、中試轉化集聚中心、産業合作促進中心,支撐國家重大戰略需求,在重點關鍵核心技術領域實現突破,重塑産業技術格局,持續推動我國半導體産業高水平、高質量發展。

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