不久前在舊金山舉辦的ISSCC國際固态電路會議上，東芝公開讨論了新一代96層堆疊3D QLC閃存的細節，并介紹了未來128層堆疊技術下3D TLC閃存在改善功耗表現和提升存儲密度與讀寫速度方面的優勢。
東芝的96層堆疊BiCS4閃存擁有TLC和QLC兩種類型，後者的每個單元可以儲存4比特數據，位密度8.5Gb/ mm²，相比TLC類型的512Gb 3D TLC提升40%以上。
東芝還披露，96層3D QLC閃存器件的芯片尺寸為158.4 mm²，利用改進後的源極 - 偏置 - 負檢測方案，允許深負阈值電壓，同時保持低電源電壓。
針對QLC閃存的寫入性能衰減問題，東芝還優化了兩步寫入(Program)方法，使典型Page頁面編程寫入時間減少18%，大幅提升了閃存的寫入性能。
除了已經實現量産的96層堆疊BiCS4之外，東芝還讨論了未來的128層堆疊3D NAND設備(BiCS5)。TLC類型的BiCS5閃存能夠實現66 mm²芯片尺寸和7.8Gb/ mm²的位密度。BiCS5還将采用包括四平面陣列、多芯片峰值功率管理和4KB頁面讀取模式在内的三種關鍵技術，提升閃存性能、精細化控制功耗。
下圖是已經在BiCS3閃存當中應用的雙平面閃存陣列，128層堆疊的下一代閃存中将使用更多的四平面陣列，從而提高每比特密度的閃存性能。
多平面閃存可通過Multi Plane交錯，用分時傳輸/執行的方式執行交錯讀寫、交錯擦除，實現性能倍增。
東芝在1987年發明的NAND閃存正成為近年來存儲技術飛速發展的驅動力，大容量、高性能的NAND閃存将加速家用電腦固态存儲的普及。我們也将有機會用上更便宜、更好用的固态硬盤。
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