通過大量的拆解可以發現,東芝閃存有TSOP(Thin Small Outline Package)和BGA(Ball Grid Array Package)兩種封裝形式。
TSOP封裝的閃存,引腳位于顆粒兩側,共有 48 個引腳(下圖右上)。
BGA封裝的閃存,使用球栅陣列觸點通信,觸電位于芯片底部,數量有 132 個或更多。
240GB版本的東芝TR200 内使用了 8 顆TSOP封裝的閃存顆粒,每個顆粒内含一個256Gb容量的東芝BiCS閃存晶粒。
新版TR200 480G内隻用了兩顆BGA封裝的閃存顆粒,每個顆粒内含 4 個512Gb容量的東芝BiCS3 閃存晶粒,在容量翻倍的同時,使用的閃存顆粒數量也下降到原有的四分之一。這就是高容閃存和疊Die封裝的優勢。
BGA封裝的優勢之一:體積小容量大
作為出現更晚的封裝形态,BGA封裝有很多先天優勢,其中體積小、容量大是最顯著的特征。通常在大容量固态硬盤中我們能看到的都是BGA封裝的閃存顆粒。
BGA封裝的優勢之二:可支持高頻閃存接口
BGA封裝可以做到比TSOP封裝更低的串擾,适合高端NVMe固态硬盤使用。比如東芝XG6 上首度應用的BiCS496 層堆疊3D閃存,就使用了Toggle 3. 0 标準,閃存接口帶寬達到800MT/s。當然這個優勢在普通SATA固态硬盤上表現的并不明顯。
BGA封裝的優勢之三:可支持多個閃存通道
每個TSOP封裝的閃存顆粒最多可以支持一個閃存通道,而BGA封裝可以支持 2 個甚至 4 個閃存通道。對于空間特别緊湊的M. 2 固态硬盤來說,少量閃存顆粒能節省PCB面積,同時還能保障性能不受影響。
BGA封裝成本相對更高,但是封裝尺寸能相應縮小,更适合用在寸土寸金的M. 2 固态硬盤上。結合疊Die封裝和TSV(Through Silicon Via)矽通孔技術,東芝能夠将1TB容量(512Gb x 16)的3D TLC閃存晶粒封裝至一個閃存顆粒當中。
由于BGA封裝能夠做到更高的存儲密度,所以被廣泛應用在M. 2 接口的固态硬盤中,而SATA接口的固态硬盤空間寬裕,同時受到SATA3. 0 接口的限制,使用TSOP封裝形式的閃存同樣能夠滿足需求。不管采用何種封裝形态,内含的閃存技術都是一樣的,品質上亦沒有分别。
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