【每日科技網】
據媒體報道，長鑫存儲已正式啟動HBM3E内存的風險試産，标志着其在高端高帶寬内存領域邁出關鍵一步。
目前，長鑫存儲正積極擴大産能，預計到今年年底，DRAM月産能有望達到35萬片晶圓，并在未來幾年持續爬坡，以應對日益增長的AI與高性能計算需求。
據了解，當前長鑫存儲的HBM3E生産規模仍較為有限，表明該項技術尚處于風險試産早期階段，距離大規模放量仍需一定時間。
根據JEDEC規範，HBM3E采用1024-bit位寬，單引腳速率範圍為9.2Gbps至12.4Gbps，在典型配置9.6Gbps下，總帶寬可達1.2TB/s。
堆疊方面，8層方案可提供單堆棧24GB容量，12層方案則可達36GB，為AI加速器與數據中心提供高帶寬、大容量的内存支撐。
考慮到長鑫存儲此前從風險試産到量産切換的速度，市場普遍預期其HBM3E有望在數周内進入大規模量産階段。
此外，長鑫在晶圓廠潔淨室建設方面亦展現出明顯效率優勢——建設一座潔淨室僅需12個月，而業内同行通常需要兩年時間。這一能力為後續産能擴張與良率爬坡提供了重要保障。
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