英偉達近日在Hot Chips 2026上正式發布了NVHBM定制高帶寬内存技術。這項技術将内存控制器從XPU主芯片轉移到HBM堆棧底部的基片(Base Die)中。
看似隻是“搬家”，背後卻是一場針對三星、SK海力士、美光三大内存巨頭價值鍊的精準狙擊。有分析指出，HBM基片的制造成本是普通DRAM核心的3到4倍，而NVHBM正是英偉達攫取這部分價值的關鍵一招。
傳統HBM中，基片僅負責高速接口連接，内存控制器占據XPU主芯片寶貴的計算面積。NVHBM将控制器集成進基片後，主芯片可釋放高達25%的面積用于計算單元。單堆棧帶寬比标準HBM4E提升30%，功耗降低15%，PHY和支持面積縮小67%。
但更關鍵的變化在于價值鍊的重新分配。傳統架構下，三大廠憑借基片和DRAM核心的整合供應掌握議價權。NVHBM打破了這一格局，英偉達自行設計基片中的控制器與接口，三大廠僅按規格制造。定價權從内存供應商轉移到了控制器的設計者手中。
亞馬遜旗下Annapurna Labs已率先采用NVHBM，用于Trainium4 AI芯片。聯發科在五天之内便采納了NVLink Fusion方案，并獲得英偉達35億美元資金支持。
需要提醒的是，HBM4E尚未正式出貨，NVHBM對标的是一個還未量産的基準，實測性能有待驗證。
但英偉達的目标很清晰：通過掌控基片層，在客戶不打算自研計算Die(芯片裸片)的前提下，将内存子系統的價值鎖定在自己手中。三大廠仍在生産DRAM核心，但最賺錢的那一層，已歸英偉達所有。
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