铠俠與閃迪近日聯合發布新一代QLC 3D閃存技術。
該技術采用332層堆疊架構，并輔以優化的布局設計，位密度較第八代産品提升高達60%，達到超過37 Gb/mm²的水平，在位密度、性能及能效等關鍵指标上均樹立了新的行業标杆。
此次新一代QLC 3D閃存技術引入了CBA(CMOS directly Bonded to Array)工藝，将CMOS邏輯電路與存儲陣列分别制造于獨立的晶圓之上，再通過高精度晶圓對位鍵合工藝實現一體化集成，從而有效提升位密度并支持更高速的NAND I/O接口。
同時，該技術搭載Toggle DDR6.0接口标準和SCA協議，成為業界首款NAND I/O接口速率達到4.8 Gbps的QLC 3D閃存産品。
此外，新方案還采用了PI-LTT技術，在降低功耗的同時，提高了I/O數據傳輸能效。随着人工智能(AI)應用加速普及，海量數據增長對數據中心能效提出更高要求，此項改進恰逢其時。
官方确認，新技術基于第十代BiCS FLASH閃存技術平台。上個月，采用相同層疊架構(332層)的TLC閃存樣品已開始出貨，其位密度為29 Gb/mm²。相比之下，本次QLC版本在存儲密度上優勢更為突出。
目前，铠俠正并行推進兩條截然不同的産品路線：第九代BiCS FLASH以相對較低的資本投入實現高性能表現;第十代BiCS FLASH則借助先進的層疊工藝，面向超大容量與極緻性能場景，兩者各自滿足差異化的市場需求。
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