受AI需求爆發式增長和供給持續緊張影響，全球存儲芯片市場正經曆一輪“超級景氣周期”，價格漲勢已從上遊傳導至消費電子終端。
國家發展改革委價格監測中心日前發布數據顯示，截至2026年1月，存儲芯片兩大主要産品DRAM和NAND閃存價格均創下2016年有數據統計以來最高水平。以主流型号為例，1月DRAM(DDR4 8Gb 1G8)合約平均價格為11.5美元，較2025年9月上漲約83%;NAND閃存(128Gb 16G8 MLC)合約平均價格達9.5美元，同期漲幅近1.5倍。
西南證券發布研報指出，本輪超級周期的根本原因在于AI大模型技術超預期疊代升級，全球Token消耗量爆發式增長，由此帶來海量的數據存儲、處理和檢索需求。随着OpenClaw等智能體應用爆發，單次問答轉為循環指令，進一步推高Token消耗量，預計2030年将帶動年度消耗量增長超3400%。
供給端方面，三星、SK海力士、美光三大原廠将有限産能向利潤更高的HBM産品傾斜，導緻消費電子所需的DRAM和NAND供應持續吃緊。目前三大廠商庫存水平僅3至5周，處于曆史極低水平。SK海力士在2月電話會上表示，2026年HBM産能缺口預計達50%至60%，漲價貫穿全年已成定局。
漲勢已開始向消費電子終端傳導。OPPO、vivo等手機品牌近期宣布上調部分産品價格，漲幅200元至500元不等。研究顯示，存儲芯片在智能手機物料成本占比已從原先的10%至15%升至30%至40%
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