ASML阿斯麥近日确認，全新一代Twinscan NXE EUV光刻機研發進展順利，光源功率将提升50%達到1000W，生産效率也将提升20%達到每小時330塊晶圓，預計2030年或更晚時候面世。
ASML對這一成就極為自豪，并且信心滿滿，認為已經找到1500W光源的清晰技術路徑，而且理論上講做到2000W也不存在根本性障礙!
當然，達成1000W光源和完整的光刻系統，需要突破重重障礙。
第一，ASML必須盡快搞定2024年底就公布的三脈沖極紫外光生成技術。
它首先通過1微米的預脈沖(pre-pulse)，将錫滴壓平，再經1微米的稀疏預脈沖(rarefaction pre-pulse)，使錫滴形成稀疏狀态，最後由10微米的二氧化碳激光主脈沖，将錫滴轉化為極紫外等離子體。
ASML已經為此技術申請了專利，但尚未商用落地，預計要等到這個10年末期退出的Twinscan NXE:4000系列光刻機。
第二，1000W光源必須配備全新的錫滴發生裝置，使其發射頻率提升近一倍，達到每秒10萬個。
這一裝置目前仍處于研發階段，還得幾年才能投入商業化。
第三，随着錫滴發射數量的大量增加，必然導緻晶圓(更準确地說是晶圓保護膜)上的雜質殘留量增加。
因此必須配備全新的雜質收集裝置，快速清除它們。
第四，1000W光源産生之後，精準傳導至晶圓也非常難，為此需要全新的高透射投影光學系統。
該系統進一步升級後，可将産能提升至每小時超過450塊晶圓，對應的光源功率也将達到1500W左右。
第五，對晶圓台和掩模台也提出了新要求，必須同步完成升級。
第六，還需要全新的光刻膠和晶圓保護膜，與之适配。
所以，一台全新光刻機的誕生，并不隻是ASML的工作，需要整個産業鍊做好全面準備。
值得一提的是，ASML還沒有将1000W EUV光源整合到高、低數值孔徑(NA) EUV光刻技術路線圖中。
低NA方面，新一代Twinscan NXE:4000F光刻機計劃2027年面市，針對1.xnm工藝節點設計，包括Intel 14A和台積電16A/14A)，套刻精度可達0.8nm，每小時産能超過250塊晶圓。
2029年，我們将看到Twinscan NXE:4200G，産能每小時超過280塊晶圓。
高NA方面，Twinscan EXE:5200C光刻機明年登場，每小時産能超過185塊晶圓，套刻精度優于0.9nm。
2029年，Twinscan EXE:5400D光刻機将接踵而至，産能将突破每小時195片晶圓。
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