10 月 12 日消息 10 月 12 日，三星對外宣布已開始量産基于極紫外(EUV)光技術的 14 納米 DRAM。
繼去年 3 月出貨 EUV DRAM 後，現階段将 EUV 的層數增加至五層，将會為 DDR5 提供更優質的解決方案。
三星電子副總裁兼 DRAM 産品與技術負責人 Jooyoung Lee 表示：“通過開拓關鍵的圖案化創新技術，我們在近三年的時間裡一直引領着 DRAM 市場。如今，三星正在通過多層 EUV 建立起另一個技術的裡程碑，該技術實現了 14 納米的化 —— 這是傳統氟化氩 (ArF) 工藝無法實現的壯舉。在此基礎上，我們将繼續為 5G、AI 和虛拟世界中需要更高性能和更大容量的數據驅動計算，提供差異化的内存解決方案。”
三星通過在 14 納米 DRAM 中添加五個 EUV 層，實現了超高的比特密度，同時将整體晶圓的生産率提高了約 20%。此外與上一代 DRAM 相比，14 納米工藝有助于降低近 20% 的功耗。
根據 DDR5 的标準，三星的 14 納米 DRAM 可帶來 7.2Gbps 的超高速，是前代 DDR4 的 3.2Gbps 速度的兩倍多。
同時三星計劃擴展其 14 納米 DDR5 的産品組合，用來支持數據中心、超級計算機和企業服務器應用。此外，三星預計将其 14 納米 DRAM 芯片密度增加到 24Gb，以更好地滿足全球 IT 系統快速增長的數據需求。
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