【每日科技網】
近日，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心在極紫外光刻基闆缺陷補償方面取得進展。
中國科學院消息顯示，微電子所研究員韋亞一課題組與北京理工大學教授馬旭課題組合作，提出了一種基于遺傳算法的改進型掩模吸收層圖形的優化算法。
據介紹，該算法采用基于光刻圖像歸一化對數斜率和圖形邊緣誤差為基礎的評價函數，采用自适應編碼和逐次逼近的修正策略，獲得了更高的修正效率和補償精度。算法的有效性通過對比不同掩模基闆缺陷的矩形接觸孔修正前後的光刻空間像進行了測試和評估，結果表明，該方法能有效地抑制掩模基闆缺陷的影響，提高光刻成像結果的保真度，并且具有較高的收斂效率和掩模可制造性。
值得一提的是，該項研究得到國家自然科學基金、國家重點研究開發計劃、北京市自然科學基金、中科院等項目資助。
免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與每日科技網無關。其原創性以及文中陳述文字和内容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分内容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關内容。
本網站有部分内容均轉載自其它媒體，轉載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責，若因作品内容、知識産權、版權和其他問題，請及時提供相關證明等材料并與我們聯系，本網站将在規定時間内給予删除等相關處理.
