9 月 7 日，SEMICON 中國台灣地區在線論壇台積電研發處長段孝勤在會上發言，他指出台積電在化合物半導體領域專注在氮化镓(GaN)相關開發，曆經長期的發展氮化镓已逐漸開始被市場接受，預期未來十年将有更多應用場景。
他指出，台積電在氮化镓的五個主要應用場景包含快充、數據中心、太陽能電力轉換器、48V DC/DC 以及電動車 OBC/轉換器，對于相關應用藍圖并有對應制程設計。
段孝勤提到，台積電過去二十年在功率提升上投入，人們希望使用裝置的耗能越少越好，台積也已在 BCD 電源管理技術上投入，功率組件自然也是重要關鍵，目前行動裝置所需 BCD 制程已到 0.13 第三代，并正在開發 90/55/40/22 BCD，車用部分已有 0.18 第二代 BCD 與 0.13 BCD 并正開發 SOI 可達 100 V 的 55 BCD 制程。NVM 在電源管理應用上，已推出 MRAM 對應 28/22 納米制程等。
段孝勤也展示台積電應對 MOSFET 的動态與靜态制程特性，協助客戶開發在功耗瓦數上降低與讓産品最終成功。有别于碳化矽(SiC)應用材料特性，台積電更關注在氮化镓(GaN)的商機。
就新材料開發上，他提到，矽基氮化镓的挑戰主要是表面的不平整程度考驗。台積電已開發 GaN-on-Silicon 技術應對功率與射頻組件需求。
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