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據《山西經濟日報》報道，晉城光機電産業研究院引進的銻化物半導體項目已進入試運行階段，預計明年将達到1萬塊芯片的産能，成為條第四代半導體生産線。
銻激光芯片生産項目是晉城市光機電産業研究院引進中科院半導體研究所牛智川教授團隊落地的第一個項目，概算總投資8202.82萬元。圍繞銻化物半導體激光芯片核心技術，開發銻化物大功率激光芯片和單模激光芯片，廣泛應用于激光加工、醫療切割等不同領域。
目前，具有巨大發展潛力的第四代半導體技術的主要體系有：銻化镓窄帶隙、铟砷化合物半導體;超寬帶隙氧化物材料;碳基納米材料、二維原子晶體材料等其他低維材料。
銻化物半導體在新系統中占據了第四代半導體的核心地位。銻化物半導體作為經典的三五族體系，在本世紀初得到了廣泛的重視。從2009年開始，國外将銻化物半導體相關材料和器件列為出口封鎖和壟斷技術。
牛智川教授曾表示，銻化物半導體在開發下一代體積小、重量輕、功耗低、成本低的設備和要求極其苛刻的應用方面具有不可替代的獨特優勢。我國銻化物超晶格探測器、量子阱激光技術等已進入産業化應用發展階段。
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