中芯國際：FinFET 工藝已經達産，每月 1.5 萬片

　　8 月 6 日消息 昨日晚間，中芯國際發布二季度财報，2021 年第二季度的銷售收入為 13.4 億美元，同比增長 43.2%。第二季度毛利為 4.05 億美元，同比增長 62.9%。

　　今日上午，中芯國際聯合首席執行官趙海軍在二季度電話會議上表示，“我們的 FinFET 工藝已經達産，每月 1.5 萬片，客戶多樣化，不同的産品平台都導入了。(這部分)産能處于緊俏狀态，客戶不斷進來。”

　　前不久中芯國際吳金剛博士宣布離職。吳金剛博士擔任中芯國際研發副總裁，是公司五大核心人才之一，參與了 FinFET 工藝研發。此前吳金剛博士離職時，中芯國際發表公告，表示離職後，吳金剛博士不再擔任公司任何職務。目前公司的技術研發工作均正常進行，吳金剛博士的離職未對公司整體研發實力産生重大不利影響。

　　目前，台積電、三星在 5nm/7nm 工藝段都采用 FinFET 結構，而在下一世代 3nm 工藝的晶體管結構選擇上，兩者出現分歧。三星選擇采用 GAA 結構，台積電則出于穩健考慮，選擇在第一代 3nm 工藝繼續沿用 FinFET 技術。

　　近日，三星代工廠流片了基于環栅 (GAA) 晶體管架構的 3nm 芯片，通過使用納米片(Nanosheet)制造出了 MBCFET(多橋通道場效應管)，可顯著增強晶體管性能，主要取代 FinFET 晶體管技術。三星執行副總裁兼代工銷售和營銷主管 Charlie Bae 表示：“基于 GAA 結構的下一代工藝節點(3nm)将使三星能夠率先打開一個新的智能互聯世界，同時加強我們的技術地位”。

　　分析稱，2nm 或将是 FinFET 結構全面過渡到 GAA 結構的技術節點。在經曆了 Planar FET、FinFET 後，晶體管結構将整體過渡到 GAAFET 結構上。根據國際器件和系統路線圖(IRDS)的規劃，在 2021-2022 年以後，FinFET 結構将逐步被 GAA 結構所取代。