【每日科技網】
6月5日消息據媒體 JCNnewswire報道，華虹半導體近日宣布，其90 nmBCD工藝在華虹無錫12英寸生産線上已經實現了大規模的量産，該工藝具備了性能高、核心面積小等優點。
華虹半導體表示，其90nmBCD工藝具有更好的電氣參數，并得益于12英寸工藝的穩定性和優異的良率，為數字電源、數字音頻功放等芯片應用提供了更具競争力的制造方案。
華虹半導體執行副總裁範恒表示，“智能硬件種類和應用場景不斷增加，對電源管理芯片的需求持續增長，電源管理芯片的性能要求也在不斷提高。華虹半導體90nmBCD技術以其高性能指标、小芯片面積等優質特點受到衆多客戶的青睐。
BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技術是一種單片集成技術，可以在同一芯片上生産Bipolar、CMOS和DMOS設備，1985年由意大利半導體率先研制成功。随着集成電路技術的進一步發展，BCD技術已經成為PIC的主流制造技術。
華虹半導體是的純晶圓代工企業，專注于嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模拟和電源管理、邏輯和射頻等特殊工藝平台。
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