【每日科技網】
6月29日晚，據外媒報道，三星宣布3nm制程技術已正式流片。據悉，三星3nm工藝采用GAA架構，性能優于台積電3nmFinFET架構。
報告稱，三星在3nm工藝中的流片進度是與新思科技合作完成的，旨在加快為GAA架構的生産工藝提供高度優化的參考。由于三星的3nm工藝不同于台積電或英特爾的FinFET結構，而是采用GAA結構。因此，三星采用了新思維技術的FusionDesignPlatform。
在技術性能上，GAA架構的晶體管可以提供比FinFET更好的靜電特性，滿足一些栅極寬度的要求。這主要表現在相同尺寸結構下，加強了GAA的通道控制能力，為尺寸進一步微縮提供了可能性。
這個流片是由Synopsys和三星代工廠合作完成的。到目前為止，三星在2020年完成了3nm技術的開發，但開發成功并不意味着三星産品最終進入量産的時間可以确定。随着流片的成功，三星3nm芯片大規模量産的時間節點正式臨近。
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