剛過去的周末長鑫科技發布了一個重要新聞，宣布自研的第五代内存平台G5量産了，并且同步展出基于該平台打造的大容量LPDDR5X新品。
與以往不同的是，長鑫這次還非常自信、大方地公布了G5代内存的技術規格，托創新的四重曝光技術把内存陣列的有源區半間距微縮至11.95納米，接近全球最頂尖的内存量産平台制程。
通過變革工藝流程、采用新材料，存儲電容深寬比達45:1;開發适配DRAM工藝的高介電常數金屬栅(HKMG)工藝，成功将G5平台核心功能區高度縮小到6762納米。
這個技術參數我們之前做過科普了，那麼問題來了——長鑫G5内存跟三星、SK海力士、美光三巨頭的最新産品相比如何呢?
網友tphuang發了一張G5與其他三家的1b、1c等工藝的對比，這兩個命名是三星、SK海力士在用，美光用的則是希臘字母的α、β、，代數上是等價的，簡單的關系可以看上圖。
至于G5與其他三家廠商的工藝對比，這個圖列的參數倒是很有趣——長鑫公布的很多參數，三大廠的參數沒有，三大廠公布的很多參數，長鑫這邊又沒有，但還是能看個大概的。
這裡面的核心指标是半間距，這是DRAM工藝斷代的關鍵，長鑫做到了11.95nm，這個數值卡在11到12nm之間，卡位可以說非常微妙了，因為12nm差不多會被認為是1b工藝，11.Xnm則會進入最新的1c工藝。
但是跟美光的1c/1γ工藝相比，這個11.95nm工藝又大了0.9nm左右，因此說G5比當前最先進的工藝落後半代甚至一代也沒問題，長鑫自己的定位是接近全球最頂尖的内存量産平台制程。
但是再看cell size這個指标，長鑫的G5大約是在0.00086到0.00111um2之間，下限也是接近1c/1γ，上限也要比1b工藝少個10%左右。
如果說指标上的差距是數字多少的問題，那G5與三星、美光和海力士的最根本區别在于這三家在14nm節點之後已經轉向了EUV光刻工藝，美光用的最少也有1層EUV光刻，三星海力士是4-6層，普遍在5層，而長鑫G5隻有DUV光刻工藝的選擇。
長鑫這次也沒瞞着，直接說了他們用四重曝光，也就是SQDP技術做到了G5内存技術的量産，其他技術還有HKMG、45：1深寬比刻蝕等。
DUV四重曝光不論是在内存工藝還是邏輯工藝上，技術已經不是最大問題，CPU工藝四重曝光上做到3nm都沒問題，甚至有可能追到2nm級别，它的難點在于成本，曝光次數越多良率、産能就越低，生産出來的芯片就成本就高得很，沒有競争力。
然而内存市場現在給了長鑫用四重曝光量産G5内存最大的支持，那就是内存價格實在是太高了，毛利率随便就超過80-90%，這樣的高利潤率下用四重曝光都沒問題，這也是長鑫表态G5在産品能效、成本控制上均具備顯著優勢的基礎。
三巨頭這一波将内存價格拉到了史無前例的地步，自己當然賺了讓所有半導體廠商都嫉妒的超額利潤，但他們肯定想不到這給了中國内存廠商一個崛起的機會，以前歐美日韓都相信隻要禁了EUV光刻機，中國廠商的芯片技術差距會落後到10年以上，不再有競争力。
但他們沒想到的是這一天會來得這麼快，現在不能說長鑫一定能靠着G5内存改變市場格局，但隻要内存價格這麼持續下去，這幾年内國内至少還有兩三家可以量産内存的公司加入戰場，過幾年這個市場的殺價情況已經可想而知了。
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