4 月 3 日消息，近日北京賽微電子股份有限公司發布了關于與青州市人民政府簽署《合作協議》的公告。公告中顯示賽微電子拟在青州經濟開發區發起投資 10 億元分期建設聚能國際 6-8 英寸矽基氮化镓功率器件半導體制造項目，總占地面積 30 畝，一期建成投産後将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 5000 片 / 月的生産能力，二期建成投産後将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 12000 片 / 月的生産能力，将為全球 GaN 産品客戶的旺盛需求提供成熟的技術支持和産能保障。
據了解，GaN(氮化镓)屬于第三代半導體材料，第三代半導體材料主要包括碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)、金剛石等，因其禁帶寬度(Eg)大于或等于 2.3 電子伏特(eV)，又被成為寬禁帶半導體材料，與第一、二代相比，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子速率等優點，可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
公司已于 2018 年 7 月在青島市崂山區投資設立 “青島聚能創芯微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化镓(GaN)功率與微波器件的設計、開發;已于 2018 年 6 月在青島市即墨區投資設立 “聚能晶源(青島)半導體材料有限公司”，主要從事半導體材料，尤其是氮化镓(GaN)外延材料的設計、開發、生産，該公司投資建設的第三代半導體材料制造項目(一期)已于 2019 年 9 月達到投産條件，正式投産。作為公司 GaN 業務一級平台公司，聚能創芯彙聚了業界團隊，擁有第三代半導體材料生長、工藝制造、器件設計等全産業鍊技術能力及儲備，且截至目前在 6-8 英寸矽基 GaN 外延晶圓、GaN 功率器件及應用方面已形成系列産品并實現批量銷售。
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