根據西安紫光國芯半導體的消息，紫光國芯在GLOBALFOUNDRIES(格芯)舉辦的中國全球科技會議上正式發布了基于格芯12納米低功耗工藝(GF 12LP)的GDDR6存儲控制器和物理接口IP。
官方表示，與已有的方案相比，新方案在芯片功耗、面積和成本等方面均有明顯的提升，并能滿足在面向人工智能(AI)和計算應用等熱點領域不斷增長的需求。
西安紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP包括一個可配置的内存控制器(MC)，其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0标準，并允許設計工程師生成具有優化延遲和帶寬的GDDR6控制器以滿足高性能應用的要求，如顯卡，遊戲機和AI計算等。該IP針對功耗和性能進行了優化設計，西安紫光國芯的GDDR6物理接口(PHY)提供了高達12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的數據速率，同時兼容JEDEC250和DFI3.1标準。物理接口(PHY)部分還嵌入了高性能鎖相環以滿足嚴格的時序規範。與主流GDDR6存儲顆粒集成，經過流片測試驗證，該IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps數據率時滿足設計規格要求。且當數據率為16Gbps時，平均每個DQ的功耗小于4mW/Gbps。
目前，紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP已經在格芯的12LP工藝平台上架。
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