IT之家4月13日消息 今天，長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型号： X2-6070)研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲産品上通過驗證。
作為業内128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業内已知型号産品中單位面積存儲密度，I/O傳輸速度和單顆NAND 閃存芯片容量。長江存儲X2-6070擁有1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量，再次向業界證明了Xtacking架構的前瞻性和成熟度。
IT之家了解到，QLC是繼TLC(3 bit/cell)後3D NAND新的技術形态，具有大容量、高密度等特點，适合于讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型(Charge-Trap)存儲單元 ，每個存儲單元可存儲4字位(bit)的數據，共提供1.33Tb的存儲容量。如果将記錄數據的0或1比喻成數字世界的小“人”，一顆長江存儲128層QLC芯片相當于提供3,665億個房間，每個房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
此次同時發布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存芯片(型号：X2-9060)，以滿足不同應用場景的需求。
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