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7月31日消息 據外媒anandtech報道，台積電(TSMC)目前已悄然推出7nm深紫外DUV(N7)和5nm極紫外EUV(N5)制造工藝的性能增強版本。該公司的N7P和N5P技術專為需要7nm設計運行更快或消耗電量更少的客戶設計。
台積電全新N7P工藝采用與N7相同的設計規則，優化了前端(FEOL)和中端(MOL)，可在相同功率下将性能提升7%，或者在相同的頻率下降低10%的功耗。
據悉，台積電最早于今年在日本舉辦的VLSI研讨會上透露相關信息，但并沒有廣泛宣傳。N7P采用經過驗證的深紫外(DUV)光刻技術，與N7相比，沒有改變晶體管密度。
而需要晶體管密度高出約18%至20%的TSMC客戶，預計将使用N7+N6工藝技術。其中，N6工藝技術通過極紫外(EUV)光刻技術進行多層處理。
此外，台積電下一個具有顯著密度、改進功耗和性能的主要節點是N5(5nm)，提供了一個名為N5P的性能增強版本。該技術采用FEOL和MOL優化功能，以便在相同功率下使芯片的運行速度提高7%，或在相同頻率下将功耗降低15%。
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