
7月29日消息 SK海力士公司今天宣布,已經開發并開始大規模生産世界上第一款128層1 Tb (Terabit) TLC 4D NAND閃存。
據介紹,128層的1tb NAND芯片提供了業界的垂直堆疊,擁有3600多億個NAND單元,每個單元在一個芯片上存儲3位。
SK 海力士稱,包括SK海力士在内的許多公司已經開發了1 Tb QLC NAND産品,但SK海力士是第一個将1 Tb TLC NAND閃存商業化的公司。TLC在NAND閃存市場中占有85%以上的份額,具有良好的性能和可靠性。
SK海力士計劃明年上半年為主要旗艦智能手機客戶開發下一代UFS 3.1産品,擁有128層1tb NAND閃存,1毫米厚封裝,功耗降低20%。
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