知名測試機構HOMOLAB對1TB版iPhone 18 Pro Max進行了存儲性能實測，結果顯示該機型在持續高負載寫入場景下閃存速度大幅下降，甚至低于部分入門級microSD卡。
據悉，1TB版iPhone 18 Pro Max采用QLC閃存，每個存儲單元可保存4比特數據。相比多數手機使用的TLC閃存（每單元3比特），QLC在相同物理空間内可提供更高容量，但速度和耐久性通常不及TLC。HOMOLAB将其與搭載512GB TLC閃存的iPhone 18 Pro進行了對比測試。
在加權4K讀取測試中，兩款機型表現接近，QLC版本得分46045.TLC版本為51282.在混合讀寫負載下差距明顯擴大：低隊列深度時TLC版本領先約38%，高負載場景下差距縮小至約12%。
測試顯示，iPhone 18 Pro Max與多數現代手機一樣，配備了一塊高速SLC緩存以應對突發數據寫入，緩存空間充足時速度可超過3000MB/s。一旦緩存耗盡，手機将回退至模拟TLC的二級緩沖區，平均寫入速度為578MB/s，但波動較大。
當二級緩沖區也被占滿後，數據将直接寫入QLC閃存，此時持續寫入速度平均僅為79.4MB/s，最低降至25.6MB/s，表現不及許多廉價microSD卡。
随着存儲空間占用率上升，性能衰減進一步加劇。在容量使用60%的情況下，可用SLC緩存從空盤時的約250GB驟降至58GB，模拟TLC緩沖區平均速度降至396MB/s，原始QLC寫入階段平均速度僅為45MB/s，最低跌至1.1MB/s，明顯落後于其他旗艦機型采用的TLC UFS 4.0存儲。
外媒分析稱，對于日常使用場景，如發送信息、浏覽網頁和普通拍照，這一性能差異通常難以感知。但用戶在進行長時間4K或ProRes視頻錄制、大文件傳輸或備份恢複等持續高寫入操作時，将明顯感受到速度下降，而這些場景正是大容量版本用戶可能頻繁遇到的。
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