業内曝三星 3nm GAA 存在漏電等關鍵技術問題,難與台積電匹敵

2021-09-06 10:36:05 來源:IT之家
        【每日科技網】
業内曝三星 3nm GAA 存在漏電等關鍵技術問題,難與台積電匹敵

  據業内人士透露,三星電子的3nmGAA工藝仍面臨漏電等關鍵技術問題。消息人士表示,該工藝在性能和成本上可能不如台積電的3nmFinFET工藝。

  據《電子時報》報道,上述人士表示,三星最早可能在2022年量産3nmGAA工藝,但由于成本高、性能不理想,可能無法吸引台積電3nmFinFET工藝獲得的客戶,據說後者已經獲得了蘋果和英特爾的訂單。

  台積電有望在2022年下半年将其3nmFinFET推向量産,CEO魏哲家在最近的财務報告會議上說,N3将是我們N5的另一個全面擴展,并将采用FinFET晶體管結構,為客戶提供的技術成熟度、性能和成本。

  三星在失去蘋果iPhone處理器訂單後,在芯片競争中落後于台積電。據市場觀察人士透露,從蘋果拿回訂單将是韓國供應商赢得3nm競争的關鍵。

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