IT之家3月19日消息 據央視新聞客戶端報道，3月19日複旦大學修發賢團隊在材料領域國際期刊《自然·材料》上發表研究論文，論文名為《外爾半金屬砷化铌納米帶中的超高電導率》，該團隊在論文中稱已制備出二維體系中具有目前已知導電率的外爾半金屬材料-砷化铌納米帶。
報道稱，修發賢團隊新研制的砷化铌納米帶材料，電導率是銅薄膜的一百倍，石墨烯的一千倍。同時，區别于超導材料隻能在零下幾十度超低溫下應用，新材料砷化铌的高電導機制即使在室溫下仍然有效。這一發現也為材料科學尋找高性能導體提供了一個可行思路，在降低電子器件能耗等方面有重大價值。
複旦大學物理學系教授修發賢稱，我們的手機發熱、電腦發熱是有兩個原因，晶體管本身的發熱和電流流經這些(互連)導線所産生的導線發熱，那我們現在要解決的問題就是導線的發熱，我們的這個材料就可以在這一方面有所用途。
導電材料是電子工業的基礎，現在最主要的材料是銅，已大規模用于晶體管的互連導線。信息時代，計算機和智能設備體積越來越小，而當銅變得很薄，進入二維尺度時，電阻變大，導電性迅速變差，功耗大幅度增加。這也是制約芯片等集成電路技術進一步發展的重要瓶頸。
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