三星官網今天發布消息稱，該公司推出了基于8納米技術的射頻技術。
三星表示，該先進技術有望提供5G通信單芯片解決方案，專門用于支持多通道和多天線芯片設計。三星的8納米射頻平台将公司在5G半導體市場的地位從Sub-6GHz頻帶擴展到毫米波應用。
三星8納米射頻技術是射頻相關解決方案的補充，包括28納米和14納米。自2017年以來，三星為高端智能手機發貨了5億多個移動終端射頻芯片。
通過卓越的創新和工藝制造，我們加強了下一代無線通信産品。三星電子代工技術開發團隊主管HyungJinLee說。随着5G毫米波的擴展，在緊湊型移動終端上尋求更長的電池壽命和優良的信号質量的客戶，三星8納米射頻将成為一個很好的解決方案。
随着先進節點的擴展，數字電路在性能、功耗和面積(PPA)方面得到了顯着改善，但模拟/射頻模塊由于退化寄生效應(例如狹窄線寬引起的電阻增加)沒有得到改善。因此，大多數通信芯片傾向于射頻特性退化，如接收頻率放大性能劣化和功耗增加。
為了克服模拟/射頻擴展的挑戰，三星開發了一種獨特的8納米射頻專用結構，名為RFextremeFET(RFeFET)，可以顯著改善射頻特性，降低功耗。與14納米射頻相比，三星RFeFET補充了數字PPA擴展，恢複了模拟/射頻擴展，實現了高性能5G平台。
三星在新聞稿中寫道，三星的技術優化限度地提高了渠道的移動性，同時限度地減少了寄生效應。由于RFeFET的性能大幅提高，射頻芯片的晶體管總數和模拟/射頻塊的面積可以減少。與14納米射頻相比，由于RFeFET架構的創新，三星8納米射頻技術提高了35%的功率效率，射頻芯片面積減少了35%。
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