【每日科技網】
外媒 ComputerBase 今天分享了三星電子在“2021 三星技術日”當天公開的未來發展藍圖和存儲技術革新的内容。
外媒稱，三星在準備 DDR5 技術的後繼産品 DDR6，據稱該技術的速度和帶寬是 DDR5 的兩倍。
DDR6 标準還沒有被 JEDEC 正式确定，默認的規格應該在 DDR6-12800 左右。三星證實，該技術尚處于早期開發階段，因此公司共享的數據可能會發生變化。外媒稱，DDR6 超頻内存有望達到 DDR6-17000。
據稱，DDR6 内存每個模塊将擁有 4 個通道，是 DDR5 的兩倍;bank 數量将達到 64 個，是 DDR4 的 4 倍。
顯存方面，三星現在正在開發 GDDR6 + 标準，提供高達 24 Gbps 的速度，高于當前 GDDR6 标準提供的 18 Gbps，使用三星的 1znm 工藝制造。此外，GDDR7 标準也在路線圖中，但沒有更多細節。
免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與每日科技網無關。其原創性以及文中陳述文字和内容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分内容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關内容。
本網站有部分内容均轉載自其它媒體，轉載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責，若因作品内容、知識産權、版權和其他問題，請及時提供相關證明等材料并與我們聯系，本網站将在規定時間内給予删除等相關處理.
