10 月 10 日消息 根據外媒 techpowerup 報道，美國公司 Synopsys(新思)于 10 月 9 日宣布推出業界完整的 HBM3 IP 内存芯片設計方案。這項技術是 HBM2e 的升級版，可以滿足高性能計算設備、計算加速卡等産品的高帶寬需求，采用多層芯片封裝的工藝。HBM 内存通常封裝在 GPU 芯片旁，相比傳統顯存芯片速率大幅提升，HBM3 可以實現高達 921GB/s 的内存帶寬。
新思科技是全球的電子設計自動化 (EDA) 解決方案提供商，全球的芯片接口 IP 供應商，主要提供芯片設計軟件和解決方案等。本次發布的 HBM3 解決方案，包括驗證 IP、用于 ZeBu 仿真的 HBM3 模型以及 HAPS 原型設計方案等，可以加速相關産品的設計開發流程。
新思科技的 DesignWare HBM3 控制器 IP 還支持多種靈活的配置，包括糾錯碼、刷新管理、奇偶校驗等 RAS 功能，可以化減少内庫存延遲，優化數據完整性。具體來看，方案中的 HBM3 芯片利用特制的微凸點陣列與中間通訊層連接，中間層采用内走線設計，具有更大的靈活性，有助于縮小長度。
DesignWare HBM3 PHY IP 采用 5nm 制造工藝，同時每個引腳的通訊速度高達 7200Mbps。芯片的電源效率相比前代産品也有提升，并支持多達 4 種功耗狀态。官方表示，Synopsys 公司将繼續滿足數據密集型 SoC 的設計和驗證要求，為 HBM3、DDR5、LPDDR5 内存提供高質量的解決方案。
美光、三星電子以及 SK 海力士等該公司均表示，将繼續與新思科技進行合作，緻力于開發下一代 HBM3 内存，以滿足日益增長的 AI、圖形運算需求。
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