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IT之家4月20日消息 根據外媒TechPowerUp的報道，三星電子正在開發其第7代V-NAND閃存，第一款産品将至少達到160層。
外媒表示，三星的160層的V-NAND産品可能會在長江儲存128層産品大量上市時推出，時間大約是2020年底。
IT之家曾報道，4月13日，長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型号： X2-6070)研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲産品上通過驗證。長江存儲表示，X2-6070擁有業内已知型号産品中單位面積存儲密度，I/O傳輸速度和單顆NAND 閃存芯片容量，擁有1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量。
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