3月28日，Intel在京舉辦一年一度的媒體紛享會，全景介紹了Intel面向未來的公司戰略，技術和産品方面也披露了不少幹活，比如大家非常關心的制程工藝。
制程工藝、封裝技術被Intel視為公司發展的六大戰略支柱之一，甚至可以說最基礎的之首，一直在不遺餘力地推進。
10nm工藝目前的良品率已經提高到滿意水平，今年底開始就會進入各個領域，包括消費級筆記本的Ice Lake、3D封裝的Lakefiled、數據中心的Ice Lake、5G移動通信的Snow Ridge。
面相未來，Intel也一直有清晰的路線圖。Intel中國研究院院長宋繼強在演講中就明确列出了7nm、5nm、3nm工藝，而為了實現這些工藝，Intel認為需要在材料、技術等各方面尋求全新的突破，包括III-V晶體管、3D堆疊、材料合成、2D材料、納米線晶體管、EUV圖案成型、密集互聯、密集内存等等。
Intel提出了從以晶體管為中心向以數據為中心轉型的大方向，宋繼強院長也強調，單純依靠晶體管縮微來發展是不現實的，必須多元化多方位入手，尤其是強化架構革新。
至于7/5/3nm工藝何時實現，眼下當然不會有明确的時間表。宋院長在接受快科技采訪的時候表示，新工藝的更新步伐會減慢，但是摩爾定律的經濟效益會繼續存在，因為摩爾定律不僅僅是關于晶體管密度的增加，也包含了單位成本的降低。
免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與每日科技網無關。其原創性以及文中陳述文字和内容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分内容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關内容。
本網站有部分内容均轉載自其它媒體，轉載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責，若因作品内容、知識産權、版權和其他問題，請及時提供相關證明等材料并與我們聯系，本網站将在規定時間内給予删除等相關處理.
